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 草鸮 发表于: 2023-4-29 21:39:02|显示全部楼层|阅读模式

[2023年] 复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品

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源自:电子产品世界
  4月27日,上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会,推出FM25/FM29系列SLC NAND,FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM,以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。
  本文引用地址:
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  FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求,应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。
  FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺,具备低功耗、超宽电压、高可靠等特性,其中擦写寿命大于400万次、数据保持时间大于200年,产品性能及可靠性达到业界领先水平,应用于CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等相关领域。其中FM24C/FM25系列车规产品已通过AEC-Q100 Grade 1车规级验证。
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  发布会现场
  产品经理肖磊介绍,FM25/FM29系列是目前国内外首款单芯片同时支持双接口(SPI/PPI)双电源(1.8/3.3)的SLCNAND Flash,产品开发团队针对28nm先进工艺平台特性,优化编擦、擦除、回读算法,采用内部8bit BCH ECC设计,兼顾成本、性能和可靠性,满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求。SPI系列(FM25)容量覆盖512Mb~4Gb,温度覆盖-40℃~+105℃。PPI系列为(FM29)容量覆盖2Gb~8Gb,温度覆盖-40℃~+105℃。
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  FM25S系列产品特点:
  存储器容量:512Mb~4Gbit
  工作电压范围1.8V/3.3V;
  工作温度范围-40℃~+85℃以及-40℃~+105℃扩展级;
  SPI高速单/双/四口:104MHz(3.3V)/85MHz(1.8V)
  支持内置8 bit ECC,满足客户Error-Free需求
  高可靠性:
  Endurance:6万擦写次数
  Data Retention:10年
  封装支持TDFN5×6/TDFN6×8等多种封装形式。
  FM29F系列产品特点:
  存储器容量:2Gb~8G bit
  工作电压范围1.8V/3.3V;
  工作温度范围-40℃~+85℃ 以及-40℃~+105℃扩展级;
  兼容ONFI 1.0标准:50MHz(3.3V)/33MHz(1.8V)
  支持内置8 bit ECC,满足客户Error-Free需求
  高可靠性:
  Endurance:6万擦写次数
  Data Retention:10年
  封装支持BGA63/TSOP48等多种封装形式。
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  下一阶段
  SLCNAND Flash存储器全系列产品将覆盖512Mbit~16Gbit容量,其中2/4 Gbit SPI NAND Flash容量新品最高工作频率将扩展到120MHz(3.3V)/95MHz(1.8V)的High speed模式,16Gbit PPI NAND支持DDR高速接口,可满足客户更快读写访问速度需求。同时,全系产品会继续提升耐写性指标,满足客户高工规的应用。
  本次复旦微电推出国内首款低功耗超宽电压FM24LN系列I2C串行EEPROM存储器、FM24N/25N宽电压高可靠I2C/SPI串行EEPROM,以及FM24C/FM25车规EEPROM三个系列的新产品。
  复旦微电产品经理周泉介绍道,产品开发团队针对流片工艺平台的特性,以及对存储器产品工作原理的深刻理解,对EEPROM存储器读写电路进行了特别的优化设计,大幅度提升了产品的性能及可靠性,为客户提供了更多的产品选择,可以满足CCM、白电、工控、仪表、医疗、5G通讯、车载等各种应用领域需求。
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  FM24C/FM25系列车规产品已通过权威第三方测试认证机构──工业和信息化部电子第五研究所AEC-Q100 Grade 1车规级验证,产品工作温度扩展至-40℃~+125℃。
  FM24LN系列首发包含32K/64K/128Kbit三种容量的I2C串行EEPROM,产品支持1.1V~5.5V超宽工作电压范围,温度覆盖工规-40℃~+85℃,全电压范围内均支持400KHz/1MHz工作频率,5.5V下典型待机电流小于1uA,读写电流不超过0.8mA,产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥100年的高可靠性要求,支持WLCSP-4Ball、SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。
  FM24N系列首发包含64K/128K/256K/512Kbit四种容量的I2C串行EEPROM,产品支持1.7V~5.5V宽工作电压范围,温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃,支持400KHz/1MHz/3.4MHz工作频率,写电流≤2mA,读电流≤0.6mA,产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。
  FM25N系列首发包含64K/128K/256K/512Kbit四款容量,产品支持1.7V~5.5V宽工作电压范围,温度覆盖工规-40℃~+85℃以及工规扩展温度-40℃~+125℃,支持5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V)工作频率,写电流≤2mA,读电流≤5mA@5.5V/20MHz,产品满足擦写寿命≥400万次、数据保持时间≥200年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式。
  FM24CXXX系列车规产品首发包含128K/256K/512Kbit三款容量产品,产品通过了严苛的AEC-Q100 Grade1认证,产品支持1.7V~5.5V超宽工作电压范围,工作温度范围-40℃~+125℃,支持400KHz/1MHz工作频率,写电流≤3mA,读电流≤1mA,产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式,产品湿敏等级为MSL1。
  FM25XXX系列车规产品首发包含64K/512Kbit两款容量产品,产品通过了严苛的AEC-Q100 Grade1认证,产品支持1.8V~5.5V超宽工作电压范围,工作温度范围-40℃~+125℃,最高支持20MHz工作频率,写电流≤3mA,读电流≤5mA,产品满足擦写寿命≥100万次、数据保持时间≥40年的高可靠性要求,支持SOP8、TSSOP8、TDFN8等多种封装形式,产品湿敏等级为MSL1。
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  FM24LN32/64/128产品特点:
  存储器容量:32K/64K/128Kbit
  工作电压范围1.1V~5.5V;
  工作温度范围-40℃~+85℃;
  全电压范围内兼容400KHz/1MHz时钟;
  串行接口符合I2C规范;
  IO电压与芯片VCC相同,同时兼容1.2V/1.8V/3.3V/5V等主流电压应用。
  具有软件保护功能(SWP);
  工作温度范围-40℃~+85℃;
  具备器件地址可配置功能,支持I2C总线上最多挂8颗EEPROM;
  输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声;
  具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式;
  擦写时间内部定时(max 5ms);
  128 bit由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源。
  额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)
  高可靠性:
  Endurance:400万擦写次数
  Data Retention:100年
  封装支持SOP8/TDFN/TSSOP/WLCSP等封装,其中WLCSP封装支持400um×400um及400um×500um Ball Pitch两种规格。
  FM24N64/128/256/512产品特点:
  存储器容量:64K/128K/256K/512Kbit
  工作电压范围1.7V~5.5V;
  工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展);
  支持400KHz/1MHz/3.4MHz时钟频率;
  串行接口符合I2C规范;
  内置ECC纠错逻辑;
  支持硬件保护功能;
  总线上最多支持8颗EEPROM寻址;
  输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声;
  具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式;
  擦写时间内部定时(max 5ms);
  128 bit由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源。
  额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)
  高可靠性:
  Endurance:400万擦写次数
  Data Retention:200年
  封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装。
  FM25N64/128/256/512产品特点:
  存储器容量:64K/128K/256K/512Kbit
  工作电压范围1.7V~5.5V
  工作温度范围-40℃~+85℃/-40℃~+125℃(扩展);
  工作频率5M(VCC≥1.7V);10M(VCC≥2.5V);20M(VCC≥4.5V);
  支持SPI Mode 0(0,0)及Mode 3(1,1);
  内置ECC纠错逻辑;
  支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护;
  支持软、硬件写保护功能;
  支持字节页及页写模式;
  擦写时间内部定时(max 5ms);
  128 bit由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源。
  额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)
  高可靠性:
  Endurance:400万擦写次数
  Data Retention:200年
  封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装。
  FM24C128EA1/FM24C256EA1/FM24C512DA1车规产品特点:
  存储器容量:128K/256K/512Kbit
  符合AEC-Q100 Grade1;
  工作电压范围1.7V~5.5V;
  工作温度范围-40℃~+125℃;
  支持400KHz/1MHz时钟频率;
  串行接口符合I2C规范;
  支持硬件保护功能;
  总线上最多支持8颗EEPROM寻址;
  输入脚经施密特触发器滤波抑制噪声;
  具有字节写、页写、当前地址读、自由读、顺序读等操作模式;
  擦写时间内部定时(max 5ms);
  128 bit由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源。
  额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)
  高可靠性:
  Endurance:100万擦写次数
  Data Retention:40年
  封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装,湿敏等级:MSL1。
  FM25640A1/FM25512A1产品特点:
  存储器容量:64K/512Kbit
  符合AEC-Q100 Grade1;
  工作电压范围1.8V~5.5V;
  工作温度范围-40℃~+125℃;
  工作频率最高支持20MHz(FM25640A1)、16MHz(FM25512A1);
  支持SPI Mode 0(0,0)及Mode 3(1,1);
  支持1/4空间、1/2空间、全空间写保护;
  支持软、硬件写保护功能;
  支持字节页及页写模式;
  擦写时间内部定时(max 5ms);
  128 bit由厂家编写的、只读的唯一标识码,方便产品溯源。
  额外的一页Security Sector安全区,用户可读写,可锁成只读。(客户可以把版本、物料、厂商代码等关键信息写入,方便产品管控及溯源)
  高可靠性:
  Endurance:100万擦写次数
  Data Retention:40年
  封装支持SOP8/TDFN/TSSOP等封装。
  下一阶段,复旦微电全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存储器全系列产品将覆盖64Kbit~2Mbit容量,FM25N将补全64Kbit~4Mbit全系列容量。其中FM24N全系列新品最高工作频率将扩展到I2C总线规范的3.4MHz的High speed(HS Mode)模式,可满足客户更快读写访问速度需求。I2C、SPI接口EEPROM的全系列容量产品计划于年内完成AEC-Q100 Grade1车规级验证,本次发布EEPROM新品将陆续启动量产。
  发布会最后,工业和信息化部电子第五研究所汽车电子行业经理王健分享了题为《车规“芯”形式下的质量保障》的主题演讲。王健表示,近几年来车规芯片快速发展,五所与客户开发并应用“5A+CA关键分析评价”质量工程体系,在研制转批量生产前有效识别、定位、改善解决潜在的设计、材料、结构、工艺等缺陷,提升成品率、可靠性、稳定性和一致性,提升企业品牌和竞争力。五所在与复旦微电的合作中,对存储芯片、MCU、安全与识别等一系列产品开展车规测试认证服务合作。未来,五所将持续和复旦微携手并进,砥砺前行。
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