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 白枕鹤 发表于: 2022-4-30 08:19:00|显示全部楼层|阅读模式

[2022年] 三星3nm芯片将于第二季度开始量产 首次使用环栅场效应晶体管节点

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源自:DoNews
  DoNews 4月29日消息(丁凡)今日,三星电子宣布,将在本季度(即未来几周内)开始使用 3GAE(早期 3nm 级栅极全能)工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创 3nm 级制造技术,也是首个使用环栅场效应晶体管(GAAFETs)的节点。
  “这是世界上首次大规模生产的 GAA 3 纳米工艺,将以此提高技术领先地位,”三星在一份报告中写道。三星 Foundry 的 3GAE 工艺技术是首次使用 GAA 晶体管(三星将其称为“多桥沟道场效应晶体管(MBCFET)”)工艺。
  三星表示,该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度(包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合)。不过,三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。
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