西媒：充电一次待机一周！芯片新设计或有效延长电池续航

源自：参考消息

---

原文标题：西媒：充电一次待机一周！芯片新设计或有效延长电池续航

　　参考消息网12月26日报道 据西班牙《世界报》网站12月20日报道，国际商用机器公司（IBM）和三星合作设计芯片，可以让手机电池超长待机一周。
　　报道称，IBM和三星开发了一种新的芯片设计，即在处理器和系统级芯片等芯片上堆叠晶体管，这使得在保持高电流的同时突破性能限制或降低功耗成为可能。换句话说，这种设计的耗电量要小得多，将延长手机、平板电脑、游戏机甚至电脑等设备的电池续航时间。该设计是在美国旧金山举行的国际电子器件会议上提出的。半导体公司每年都会在这里分享最新的创新成果。
　　据“瘾科技”网站报道，这两家技术公司在这次会议上展示了它们称为“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）的设计，即一种将芯片的晶体管垂直堆叠，使电流纵向流动的设计。
　　报道称，这种设计不同于目前水平堆叠晶体管以使电流从一侧流向另一侧的设计。新设计的优势使超越摩尔定律成为可能。
　　摩尔定律称，集成电路上的晶体管数目大约每两年翻一番，随着时间的推移，可使计算机体积更小、价格更便宜，同时性能更强大。
　　该媒体称，VTFET不仅超越了摩尔定律，而且突破了一些性能限制，同时通过更高的电流降低功耗。
　　这两家公司称，与鳍式场效应晶体管（FinFET）相比，采用VTFET设计的芯片速度可以提高两倍，或将功耗降低85%。
　　报道认为，简单来说，这种芯片可以做到充电一次待机一周。
　　然而，根据三星的说法，这种设计可以将性能或电池续航力提升至“极限”，但不能二者兼具。它将帮助这家韩国公司超越其现有技术，而无需走向技术更密集的1纳米芯片。