5熊猫网

 找回密码
 免费注册

QQ登录

只需一步,快速开始

扫一扫,访问微社区

开启左侧
查看: 42|回复: 0
 阿宝 发表于: 2017-6-20 14:59:01|显示全部楼层|阅读模式

[2017年] 专注于NAND:三星公司大力推动64层3D闪存芯片生产

 [复制链接]
  : 至顶网
  三星公司表示,继东芝与西部数据发布64层NAND驱动器之后,其也将推出自家64层NAND驱动器产品。美光与其闪存代工合作伙伴英特尔亦有计划推出自己的64层产品。
  三星的V-NAND三层单元(简称TLC)芯片拥有256 Gbit存储容量,且将被应用于移动、PC以及服务器等多个领域。
  东芝与西部数据双方最近分别发布了其64层3D芯片SSD,其中东芝的XG5以NVMe M.2形式提供256 GB、512 GB以及1 TB存储容量。这款TLC芯片还配备有一套SLC(即单层单元)缓存。
  西部数据的蓝盘SSD则分别提供2.5英寸与M.2两种尺寸形式,采用SATA接口并提供250 GB、500 GB、1 TB以及2 TB几种容量选项。
  美光与英特尔双方即将推出的SSD产品也将采用64层NAND芯片技术。
  三星公司将在今年晚些时候推出其采用64层芯片的嵌入式UFS(即通用闪存存储)内存、品牌SSD以及外部存储卡。UFS内存可用于智能手机、数码相机以及其它类似设备。
1b7h-fyhfxph3527190.jpg
</p>  三星公司利用其256 Gbit 64层芯片打造出各款产品
  三星方面宣称,截至今年年底,64层芯片将在其月度NAND闪存生产总量当中占据超过一半比例。该公司期待着尽快迈入TB级别V-NAND时代,这意味着芯片存储容量将提升4倍。具体来讲,三星公司需要提升堆叠层数以及/或者进一步缩小单元尺寸──亦可能二者兼而有之。
  三星公司表示,其256 Gbit芯片拥有约853亿个存储单元,外加数十亿个贯穿“数十个单元阵列”的通孔。其生产技术难点在于确保这些通孔拥有均匀的开关,同时“适当分散各个层的重量以提高通孔稳定性”。
  作为第三大难题,三星公司还需要均匀地“利用原子级别厚度的非导电物质覆盖每个通孔的内壁。”随着芯片内堆叠层数的不断提升,以上难点将带来更为严峻的制造挑战。
  三星公司目前在芯片容量与每层容量方面皆落后于其它竞争对手,因此可以想见其必然将奋起直追以缩小差距。
『 5熊猫网 』提醒,在使用本论坛之前您必须仔细阅读并同意下列条款:
  1. 遵守《全国人大常委会关于维护互联网安全的决定》及中华人民共和国其他各项有关法律法规,并遵守您在会员注册时已同意的《『 5熊猫网 』管理办法》;
  2. 严禁发表危害国家安全、破坏民族团结、破坏国家宗教政策、破坏社会稳定、侮辱、诽谤、教唆、淫秽等内容;
  3. 本帖子由 阿宝 发表,享有版权和著作权(转帖除外),如需转载或引用本帖子中的图片和文字等内容时,必须事前征得 阿宝 的书面同意;
  4. 本帖子由 阿宝 发表,仅代表用户本人所为和观点,与『 5熊猫网 』的立场无关,阿宝 承担一切因您的行为而直接或间接导致的民事或刑事法律责任。
  5. 本帖子由 阿宝 发表,帖子内容(可能)转载自其它媒体,但并不代表『 5熊猫网 』赞同其观点和对其真实性负责。
  6. 本帖子由 阿宝 发表,如违规、或侵犯到任何版权问题,请立即举报,本论坛将及时删除并致歉。
  7. 『 5熊猫网 』管理员和版主有权不事先通知发帖者而删除其所发的帖子。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 免费注册

本版积分规则

© 2009-2017, 蜀ICP备12031014号, Powered by 5Panda
GMT+8, 2017-7-21 00:41, Processed in 0.171601 second(s), 12 queries, Gzip On, MemCache On
快速回复 返回顶部 返回列表